Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NEH6327XTSA1, 20В, 2,3А, SOT23 (60 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM072098
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NEH6327XTSA1, 20В, 2,3А, SOT23 (60 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS806NEH6327XTSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD).## Комплектація
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Струм стіка: 2,3 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 82 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 2
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та струм стіка 2,3 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт, а опір у відкритому стані — 82 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±8 В.
Технологія OptiMOS™ 2
Прилад виготовлений за технологією OptiMOS™ 2. Корпус SOT23 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Транзистор призначений для використання в електронних схемах з параметрами, що не перевищують зазначені.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 82 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴