
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS7728NH6327XTSA2, SOT23, 60В, 0,2А (набір 200 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM072097
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS7728NH6327XTSA2 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення в корпусі SOT23. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із напругою до 60 В.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 60 В
- Струм стоку: 0,2 А
- Потужність розсіювання: 0,36 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Набір: 200 штук
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-виток 60 В та струм стоку 0,2 А. Потужність розсіювання становить 0,36 Вт, а опір у відкритому стані — 5 Ом. Напруга затвор-виток дозволена в межах ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™ та поставляється в корпусі SOT23 з монтажем SMD.
Кількість у комплекті
Товар постачається набором із 200 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴
