Транзистор N-MOSFET Infineon BSS670S2LH6327XTSA1, 55В, 0,54А, SOT23 (70 шт.)
1 850 ₴
- В наявності
- Код: TM072096
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS670S2LH6327XTSA1, 55В, 0,54А, SOT23 (70 шт.)В наявності
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS670S2LH6327XTSA1 — уніполярний компонент у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 70 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 55 В
- Максимальний струм стоку: 0,54 А
- Потужність розсіювання: 0,36 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 70 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 55 В, а максимально допустимий струм стоку — 0,54 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 0,36 Вт.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™. Корпус SOT23 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 55 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.54 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 650 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴