Транзистор ONSEMI BSS63LT1G PNP, 100В, 0,1А, SOT23 (комплект 100 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM072095
Транзистор ONSEMI BSS63LT1G PNP, 100В, 0,1А, SOT23 (комплект 100 шт.)В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI BSS63LT1G — це біполярний напівпровідниковий прилад структури PNP у корпусі SOT23. Комплект складається зі 100 одиниць.
- Тип транзистора: PNP, біполярний
- Максимальна напруга колектор-емітер: 100 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,225 Вт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 100 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу колектор-емітер 100 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,225 Вт, що відповідає можливостям малогабаритного корпусу. Коефіцієнт підсилення за струмом дорівнює 30.
Монтаж та корпус
Прилад виконаний у корпусі SOT23 (TO236AB) для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна робоча частота становить 95 МГц.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.225 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 100 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 95 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴