Транзистор N-MOSFET Infineon BSS606NH6327XTSA1, 60В, 3,2А, SOT89 (комплект 30 шт.)
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM035155
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS606NH6327XTSA1, 60В, 3,2А, SOT89 (комплект 30 шт.)В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS606NH6327XTSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення,. Компонент виконаний у компактному корпусі PG-SOT89 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію OptiMOS™ 3.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 3,2 А
- Потужність розсіювання: 1 Вт
- Опір у стані провідності: 90 мОм
- Корпус: PG-SOT89, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 3
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 3,2 А. Потужність розсіювання становить 1 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у стані провідності дорівнює 90 мОм.
Монтаж та комплектація
Компонент має тип монтажу SMD та корпус PG-SOT89. У комплекті постачається 30 штук транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 90 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT89 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴