Транзистор N-MOSFET Infineon BSS316NH6327XTSA1, 30В, 1,4А, SOT23 (70 шт.)
1 850 ₴
- В наявності
- Код: TM072094
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS316NH6327XTSA1, 30В, 1,4А, SOT23 (70 шт.)В наявності
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 70 польових транзисторів Infineon BSS316NH6327XTSA1 типу N-MOSFET у корпусі SOT23. Компоненти виготовлені за технологією OptiMOS™ 2 та призначені для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 1,4 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 70 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають максимальну напругу стік-витік 30 В та витримують струм стоку до 1,4 А. Максимальна потужність розсіювання становить 0,5 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента в складі електронних схем.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані в корпусі SOT23. Компоненти виготовлені за технологією OptiMOS™ 2.
Комплектація
У пакуванні міститься 70 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 280 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴