Транзистор P-MOSFET Infineon BSS315PH6327XTSA1, SOT23, 60 шт.
2 100 ₴
- В наявності
- Код: TM072093
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS315PH6327XTSA1, SOT23, 60 шт.В наявності
2 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS315PH6327XTSA1 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD).## Канал та полярність
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -30 В
- Струм дрена: -1,5 А
- Розсіювана потужність: 0,5 Вт
- Корпус: PG-SOT23, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює при напрузі дрена-джерела до -30 В та витримує струм дрена до -1,5 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,5 Вт, а опір у стані провідності дорівнює 0,15 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ P2. Корпус PG-SOT23 та тип монтажу SMD.
Канал та полярність
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ P2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 100 ₴