Транзистор P-MOSFET Infineon BSS314PEH6327XTSA1, SOT23, 60 шт.
1 850 ₴
- В наявності
- Код: TM072092
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS314PEH6327XTSA1, SOT23, 60 шт.В наявності
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSS314PEH6327XTSA1. Це уніполярний компонент у корпусі PG-SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Пакет містить 60 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: PG-SOT23
- Монтаж: SMD (поверхневий)
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Технологія: OptiMOS™ P3
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Технічні характеристики
Компонент працює на основі технології OptiMOS™ P3. Максимальна потужність розсіювання становить 0,5 Вт. Корпус PG-SOT23.
Комплект поставки
У наборі постачається 60 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 140 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ P3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴