Транзистор N-MOSFET Infineon BSS306NH6327XTSA1, 30В, 2,3А, SOT23 (набір 50 шт.)
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM072091
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS306NH6327XTSA1, 30В, 2,3А, SOT23 (набір 50 шт.)В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 50 транзисторів N-MOSFET від Infineon Technologies, модель BSS306NH6327XTSA1. Це уніполярні польові транзистори з каналом збагачення, розраховані на напругу 30 В та струм 2,3 А. Компоненти виконані в компактному корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 30 В
- Струм дрена: 2,3 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 2
- Кількість у наборі: 50 шт.
Напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 30 В та витримує напругу затвор-джерело ±20 В. Максимальний струм дрена становить 2,3 А, а потужність розсіювання — 0,5 Вт.
Опір у відкритому стані
Опір у відкритому стані дорівнює 93 мОм. Цей параметр визначає ефективність проходження струму через транзистор у відкритому режимі.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 93 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴