Транзистор P-MOSFET Infineon BSS215PH6327XTSA1, SOT23, -20В, -1,5А (50 шт.)
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM072090
Транзистор P-MOSFET Infineon BSS215PH6327XTSA1, SOT23, -20В, -1,5А (50 шт.)В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: -20 В
- Струм дрена: -1,5 А
- Розсіювана потужність: 0,5 Вт
- Опір у стані провідності: 0,15 Ом
- Корпус: PG-SOT23, монтаж SMD
- Комплектація: 50 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга дрена-джерела становить -20 В, а максимальний струм дрена — -1,5 А. Розсіювана потужність дорівнює 0,5 Вт, опір у стані провідності — 0,15 Ом. Допустима напруга затвор-джерело становить ±12 В.
Технологія OptiMOS™ P2
Компонент виготовлено за технологією OptiMOS™ P2 від виробника Infineon Technologies. ## Корпус та монтаж
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PG-SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ P2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴