Транзистор N-MOSFET Infineon BSS214NH6327XTSA1, 20В, 1,5А, SOT23 (60 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM072089
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS214NH6327XTSA1, 20В, 1,5А, SOT23 (60 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS214NH6327XTSA1 — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію OptiMOS™ 2.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Максимальний струм стоку: 1,5 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 60 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 20 В, а допустимий струм стоку — 1,5 А. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 0,5 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23. Тип монтажу — SMD (поверхневий). Компонент реалізує технологію OptiMOS™ 2 від виробника Infineon Technologies.
Комплектація
Товар постачається набором, що містить 60 штук транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴