Транзистор N-MOSFET Infineon BSS205NH6327XTSA1, 20В, 2,5А, SOT23 (60 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM072088
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS205NH6327XTSA1, 20В, 2,5А, SOT23 (60 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS205NH6327XTSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення,. Комплект складається з 60 одиниць у корпусі SOT23.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 20 В
- Струм стіка: 2,5 А
- Розсіювана потужність: 0,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 85 мОм
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 2
- Кількість у комплекті: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 20 В та витримує струм стіка до 2,5 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,5 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 85 мОм. Напруга затвор-витік обмежена ±12 В, що визначає допустимі режими керування.
Технологія та монтаж
Пристрій виготовлено за технологією OptiMOS™ 2, що характеризується низьким опором у відкритому стані. Корпус SOT23 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У наборі постачається 60 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴