Транзистор N-MOSFET Infineon BSS169H6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,17А (40 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM072087
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS169H6327XTSA1, SOT23, 100В, 0,17А (40 шт.)В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS169H6327XTSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збідненого типу в корпусі SOT23. Комплект складається з 40 одиниць, призначених для поверхневого монтажу (SMD). Транзистор є уніполярним з каналом збідненого типу.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 0,17 А
- Розсіювана потужність: 0,36 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплектація: 40 шт.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™. Корпус SOT23 призначений для SMD-монтажу. Дозволене напруга на затворі становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.17 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴