Транзистор N-MOSFET Infineon BSS159NH6327XTSA2, 60В, 0,23А, SOT23 (40 шт.)
1 970 ₴
- В наявності
- Код: TM072086
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS159NH6327XTSA2, 60В, 0,23А, SOT23 (40 шт.)В наявності
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS159NH6327XTSA2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 40 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 0,23 А
- Потужність розсіювання: 0,36 Вт
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Комплект: 40 шт.
Технічні параметри
Прилад має канал збідненого типу та працює з напругою стік-витік до 60 В. Максимальний струм стіка становить 0,23 А, а розсіювана потужність — 0,36 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 8 Ом.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Виробник використовує технологію SIPMOS™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.36 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.23 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 970 ₴