Транзистор N-MOSFET Nexperia BSS138P,215, SOT23, набір 150 шт.

Набір із 150 транзисторів N-MOSFET Nexperia BSS138P,215 у корпусі SOT23. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи в електронних схемах із напругою до 60 В.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: 60 В
• Струм дрена: 0,36 А
• Потужність розсіювання: 0,35 Вт
• Корпус: SOT23 (TO236AB)
• Монтаж: SMD
• Кількість у наборі: 150 шт.

Електричні параметри

Транзистор має напругу дрена-джерела 60 В та струм дрена 0,36 А. Потужність розсіювання становить 0,35 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із помірним навантаженням. Опір у стані провідності дорівнює 1,6 Ом, що забезпечує ефективне проходження струму.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23 (TO236AB). Це дозволяє здійснювати монтаж на поверхню (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва друкованих плат. Уніполярна структура та канал збагачення роблять транзистор зручним для керування логічними сигналами.

Керування та характеристики каналу

Транзистор має канал збагачення, що означає відсутність струму при нульовій напрузі на затворі. Це забезпечує надійне вимикання навантаження та зручне керування логічними сигналами. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає допустимі межі керуючого сигналу.