Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS138LT1G, SOT23, 50 В, 0,2 А (комплект 80 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS138LT1G у корпусі SOT23 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 80 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Максимальна напруга стік-витік: 50 В
• Струм стоку: 0,2 А
• Розсіювана потужність: 0,225 Вт
• Кількість у комплекті: 80 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 50 В та струмом стоку 0,2 А. Максимальна розсіювана потужність становить 0,225 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 3,5 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж).

Комплектація

У пакуванні міститься 80 транзисторів BSS138LT1G. Символ виробника — BSS138LT1G. Тип транзистора — N-MOSFET. Поляризація — уніполярна. Рід каналу — збагачуваний.