Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated BSS123Q-13, SOT23, 100В, 170мА (70 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated BSS123Q-13 — це уніполярний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 70 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга стік-джерело: 100 В
• Струм стіка: 170 мА (680 мА в імпульсі)
• Потужність розсіювання: 0,3 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Комплектація: 70 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 100 В та постійний струм стіка 170 мА. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 680 мА. Потужність розсіювання становить 0,3 Вт, а опір у відкритому стані — 6 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).

Призначення

Згідно з даними виробника, транзистор призначений для використання в автомобільній промисловості. Канал транзистора є збагачуваним. Напруга затвор-джерело становить ±20 В.