Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6433XTMA1, 100В, 0,15А, SOT23 (комплект 100 шт.)
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM072072
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6433XTMA1, 100В, 0,15А, SOT23 (комплект 100 шт.)В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123NH6433XTMA1 — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається зі 100 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Струм стіка: 0,15 А (постійний), 0,77 А (імпульсний)
- Корпус SOT23 для SMD монтажу
- Комплект: 100 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 0,15 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 0,77 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт, а опір у відкритому стані — 10 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23 із технологією монтажу SMD. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 0,6 нКл. Використовується технологія OptiMOS™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.15 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | SOT23 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 900 ₴