Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123IXTSA1, 100В, 0,15А, SOT23 — набір 90 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon BSS123IXTSA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється комплектом із 90 штук.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стоку: 0,15 А
• Потужність розсіювання: 0,5 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Комплектація: 90 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 100 В, що визначає межі робочого навантаження. Максимальна потужність розсіювання становить 0,5 Вт. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 0,15 А, а імпульсний струм може досягати 0,77 А.

Технологія та корпус

Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™, що впливає на його внутрішню структуру. Компонент має корпус SOT23 та тип монтажу SMD. У комплекті йде 90 одиниць товару. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 0,77 А. Заряд затвора дорівнює 0,63 нКл. Опір у відкритому стані (Rds) — 10 Ом. Напруга затвор-витік — ±20 В.