Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS123, 100В, 0,17А, SOT23 (BSS123-FAI) — набір 80 шт.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI BSS123 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, який використовується в електронних схемах. Комплект складається з 80 одиниць у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Струм стоку: 0,17 А
• Потужність розсіювання: 0,36 Вт
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Комплект: 80 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 100 В та струмом стоку 0,17 А. Потужність розсіювання становить 0,36 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані дорівнює 12 Ом, а заряд затвора — 2,5 нКл.

Керування та стан

Прилад є уніполярним з каналом збагачення, що означає закритий стан транзистора при нульовій напрузі на затворі. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Має властивість 'logic level', що означає низьку напругу відкривання.

Монтаж та комплектація

Компоненти виконані у стандартному корпусі SOT23, що забезпечує компактність вузла. Технологія монтажу SMD передбачає автоматизоване встановлення на друковані плати. У комплекті постачається 80 транзисторів.