Транзистор N-MOSFET Infineon BSR802NL6327HTSA1, 20В, 3,7А, SC59 (30 шт.)
2 320 ₴
- В наявності
- Код: TM035152
Транзистор N-MOSFET Infineon BSR802NL6327HTSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі SC59 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 20 В
- Максимальний струм стіка: 3,7 А
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 32 мОм
- Корпус: SC59, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 2
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та струм стіка 3,7 А. Потужність розсіювання становить 0,5 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Напруга затвор-витік обмежена значенням ±8 В.
Опір у відкритому стані
Опір у відкритому стані дорівнює 32 мОм. Цей параметр визначає втрати енергії при проходженні струму через відкритий транзистор.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 2. Фізичний розмір відповідає стандарту корпусу SC59, який є компактним варіантом для SMD-монтажу. Таке виконання дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах із високою щільністю компонентів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 32 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SC59 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
- Ціна: 2 320 ₴