Транзистор N-MOSFET Infineon BSR202NL6327HTSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SC59 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 40 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачений
- Напруга стік-витік: 20 В
- Струм стіка: 3,8 А
- Опір у відкритому стані: 21 мОм
- Потужність розсіювання: 0,5 Вт
- Корпус: SC59, монтаж SMD
- Технологія: OptiMOS™ 2
- Комплектація: 40 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має напругу стік-витік 20 В та максимальний струм стіка 3,8 А. Опір у відкритому стані становить 21 мОм. Потужність розсіювання обмежена 0,5 Вт, а напруга затвор-витік — ±12 В.
Корпус і монтаж
Прилад виготовлений за технологією OptiMOS™ 2, що характеризується низьким опором у відкритому стані. Корпус SC59 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 3.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 21 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SC59 |
| Технологія | OptiMOS™ 2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴

