Транзистор N-MOSFET Infineon BSP88H6327XTSA1, SOT223, 240В, 0,35А (комплект 30 шт.)
2 300 ₴
- В наявності
- Код: TM035148
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP88H6327XTSA1, SOT223, 240В, 0,35А (комплект 30 шт.)В наявності
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP88H6327XTSA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад у корпусі SOT223 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 240 В
- Струм дрена: 0,35 А
- Потужність розсіювання: 1,8 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Корпус та монтаж
Комплект поставки включає 30 транзисторів. Символ виробника: BSP88H6327XTSA1. Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES.
Комплектація
Транзистор виготовлений у корпусі SOT223. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж). Технологія виготовлення: SIPMOS™.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 240 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 300 ₴