Транзистор N-MOSFET Infineon BSP324H6327XTSA1, 400В, 0,17А, SOT223 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP324H6327XTSA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект із 30 штук забезпечує запас для серійного виробництва або ремонту обладнання. Така кількість зручна для прототипування та забезпечення запасних частин для майстерні.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга дрена-джерела: 400 В
• Струм дрена: 0,17 А
• Потужність розсіювання: 1,8 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Комплектація: 30 штук у наборі

Електричні характеристики

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 400 В та струмом дрена 0,17 А. Потужність розсіювання становить 1,8 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із помірним навантаженням. Опір у провідному стані дорівнює 25 Ом, що впливає на ефективність перемикання.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі SOT223, що забезпечує зручність для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат корпусу дозволяє компактно розміщувати транзистор на друкованих платах, заощаджуючи місце.

Технологія SIPMOS™

Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™, що забезпечує стабільну роботу та ефективність перемикання. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає вимоги до керуючих сигналів у схемі. Канал транзистора є збагачуваним, що забезпечує надійне вимикання при відсутності напруги на затворі.