Транзистор P-MOSFET Infineon BSP315PH6327XTSA1, -60В, -1,17А, SOT223 (набір 30 шт.)
2 710 ₴
- В наявності
- Код: TM018069
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP315PH6327XTSA1, -60В, -1,17А, SOT223 (набір 30 шт.)В наявності
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon BSP315PH6327XTSA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення,. Модель виконана в корпусі PG-SOT223 із технологією SIPMOS™ та поставляється набором із 30 штук для зручності монтажу.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: -60 В
- Струм стоку: -1,17 А
- Розсіювана потужність: 1,8 Вт
- Корпус: PG-SOT223, монтаж SMD
- Набір: 30 штук
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до -60 В та витримує струм стоку -1,17 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,8 Вт,. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а опір у відкритому стані дорівнює 0,8 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі PG-SOT223,. Монтаж здійснюється методом SMD,. Використовується технологія SIPMOS™.
Комплектація
Упаковка містить 30 транзисторів,. Такий набір.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 710 ₴