Транзистор N-MOSFET Infineon BSP296NH6327XTSA1, 100В, 1,2А, SOT223 (30 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM035147
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP296NH6327XTSA1, 100В, 1,2А, SOT223 (30 шт.)В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP296NH6327XTSA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Пакет містить 30 одиниць у корпусі SOT223.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 1,2 А
- Потужність розсіювання: 1,8 Вт
- Корпус: SOT223 для SMD монтажу
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та максимальний струм дрена 1,2 А. Потужність розсіювання становить 1,8 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у стані провідності дорівнює 0,8 Ом, що визначає втрати потужності при відкритому стані.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™, що є фірмовим рішенням Infineon. Корпус SOT223 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, що є граничним значенням для керуючого входу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 800 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴