Транзистор N-MOSFET Infineon BSP295H6327XTSA1, 60В, 1,8А, SOT223 (20 шт.)
2 210 ₴
- В наявності
- Код: TM035146
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP295H6327XTSA1, 60В, 1,8А, SOT223 (20 шт.)В наявності
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSP295H6327XTSA1 — це уніполярний компонент у корпусі SOT223 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-джерело: 60 В
- Струм стіка: 1,8 А
- Потужність розсіювання: 1,8 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплектація: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-джерело до 60 В та витримує струм стіка 1,8 А. Потужність розсіювання становить 1,8 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 0,3 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Канал та полярність
Транзистор має збагачуваний канал та є уніполярним пристроєм типу N-MOSFET.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | SIPMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 210 ₴