Транзистор P-MOSFET Infineon BSP170PH6327XTSA1, -60В, -1,9А, PG-SOT223 (набір 20 шт.)

Транзистор P-MOSFET Infineon BSP170PH6327XTSA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі PG-SOT223 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію SIPMOS™.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: -60 В
• Струм стоку: -1,9 А
• Опір у відкритому стані: 0,3 Ом
• Розсіювана потужність: 1,8 Вт
• Корпус: PG-SOT223, монтаж SMD
• Технологія: SIPMOS™
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік -60 В та струм стоку -1,9 А. Опір у відкритому стані становить 0,3 Ом, що впливає на теплові втрати при роботі. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 1,8 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В.

Корпус PG-SOT223 та монтаж SMD

Компонент виготовлений у корпусі PG-SOT223, що підходить для технології поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання дозволяє компактно розміщувати елементи на друкованих платах. Використання технології SIPMOS™ визначає специфіку конструкції каналу.

Комплектація набору

Товар постачається набором із 20 транзисторів. Така кількість підходить для забезпечення потреб серійного виробництва або складання пристроїв, де використовується дана модель.