Транзистор N-MOSFET Infineon BSP135H6327XTSA1, 600В, 0,12А, SOT223 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP135H6327XTSA1 — це уніполярний компонент із каналом збіднення, призначений для роботи під напругою до 600 В. Комплект із 20 штук у корпусі SOT223 зручний для серійного монтажу та прототипування електронних пристроїв.

• Напруга дрена-джерела: 600 В
• Струм дрена: 0,12 А
• Розсіювана потужність: 1,8 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Технологія: SIPMOS™
• Опір у стані провідності: 60 Ом
• Напруга затвор-джерело: ±20 В
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Висока напруга та надійність

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В, що дозволяє використовувати його в ланцюгах із високим потенціалом. Максимальний струм дрена становить 0,12 А, а розсіювана потужність — 1,8 Вт. Це забезпечує стабільну роботу в умовах обмеженого струму та навантаження.

Технологія SIPMOS™ та опір

Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™, що гарантує високі комутаційні характеристики. Опір у стані провідності дорівнює 60 Ом, що впливає на теплові втрати при відкритому каналі. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В, що визначає вимоги до керуючих сигналів.

Зручний монтаж SMD

Корпус SOT223 та тип монтажу SMD дозволяють автоматизувати процес встановлення на друковані плати. Компактні розміри економлять місце на платі, що важливо для компактних пристроїв. Наявність 20 транзисторів у наборі спрощує складання партії виробів.