Транзистор N-MOSFET Infineon BSP129H6327XTSA1, 240В, 50мА, SOT223 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP129H6327XTSA1 — це уніполярний компонент із збідненим каналом, виготовлений за технологією SIPMOS™, призначений для роботи в електронних схемах із напругою до 240 В. Комплект із 30 штук у корпусі SOT223 зручний для масового монтажу та прототипування пристроїв.

• Напруга стік-виток: 240 В
• Струм стоку: 50 мА
• Розсіювана потужність: 1,8 Вт
• Корпус: SOT223 (SMD монтаж)
• Технологія: SIPMOS™
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком та витоком 240 В, що дозволяє використовувати його в мережевих та силових ланцюгах. Максимальний струм стоку становить 50 мА, а розсіювана потужність — 1,8 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 6,5 Ом.

Технологія та монтаж

Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™. Корпус SOT223 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна напруга на затворі становить ±20 В, що важливо враховувати при проектуванні керуючих схем.

Комплектація

У комплекті постачається 30 транзисторів. Така кількість дозволяє виконати кілька проектів або замінити компоненти в кількох пристроях без додаткових закупівель.