Транзистор N-MOSFET Infineon BSP125H6327XTSA1, 600В, 0,12А, SOT223 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSP125H6327XTSA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, що має максимальну напругу сток-виток 600 В. Комплект із 30 штук у корпусі SOT223 забезпечує зручність для масового монтажу та прототипування електронних схем.

• Напруга дрена-джерела до 600 В
• Струм дрена 0,12 А
• Потужність розсіювання 1,8 Вт
• Корпус SOT223 для монтажу SMD
• Комплект із 30 транзисторів
• Опір у стані провідності 45 Ом

Технічні параметри

Максимальна напруга сток-виток становить 600 В, а напруга затвор-виток — ±20 В. Струм стоку дорівнює 0,12 А, що визначає робочий режим компонента.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT223 із технологією монтажу SMD. Таке виконання забезпечує компактне розміщення на друкованій платі.

Потужність та опір

Потужність розсіювання становить 1,8 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 45 Ом, що впливає на теплові характеристики при роботі зі струмом стоку 0,12 А.

Комплект із 30 транзисторів Infineon BSP125H6327XTSA1 у корпусі SOT223 призначений для використання в електронних пристроях, де важливі параметри напруги та компактність.