Транзистор P-MOSFET Infineon BSO613SPVGXUMA1, -60В, -3,44А, SO8, набір 20 шт.

P-канальний MOSFET-транзистор Infineon BSO613SPVGXUMA1 у корпусі SO8 для монтажу на поверхню (SMD). Цей набір із 20 одиниць призначений для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних компонентів для схем керування живленням.

• Струм стоку -3,44 А та імпульсний струм -13,8 А
• Напруга стік-витік -60 В
• Опір у відкритому стані 0,13 Ом
• Потужність розсіювання 2,5 Вт
• Корпус SO8, монтаж SMD
• Набір із 20 транзисторів

Технічні параметри та надійність

Транзистор працює з напругою стік-витік до -60 В та постійним струмом стоку -3,44 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до -13,8 А, що дозволяє використовувати компонент у динамічних навантаженнях. Потужність розсіювання становить 2,5 Вт, а опір у відкритому стані — 0,13 Ом, що забезпечує ефективну роботу з мінімальними втратами енергії.

Технологія SIPMOS™ та монтаж

Компонент виготовлений за технологією SIPMOS™, що гарантує стабільні характеристики та низькі втрати потужності. Корпус SO8 та тип монтажу SMD дозволяють компактно розміщувати транзистор на друкованих платах, заощаджуючи місце та спрощуючи автоматизований монтаж.

Комплектація

У пакуванні міститься 20 транзисторів, що зручно для прототипування або серійного виробництва невеликих партій обладнання.