Транзистор N-MOSFET Infineon BSO220N03MDGXUMA1, 30В, 7,7А, PG-DSO-8 (20 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM072056
Транзистор N-MOSFET Infineon BSO220N03MDGXUMA1, 30В, 7,7А, PG-DSO-8 (20 шт.)В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSO220N03MDGXUMA1 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Комплект складається з 20 одиниць у корпусі PG-DSO-8 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Струм стоку: 7,7 А
- Потужність розсіювання: 1,56 Вт
- Опір у відкритому стані: 22 мОм
- Корпус: PG-DSO-8 (SMD)
- Технологія: OptiMOS™ 3
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Тип та канал
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стоку 7,7 А. Потужність розсіювання становить 1,56 Вт, а опір у відкритому стані — 22 мОм. Максимальна напруга затвор-витік дорівнює ±20 В.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3, що забезпечує низький опір провідності. Корпус PG-DSO-8 дозволяє використовувати транзистор у пристроях з обмеженим простором для монтажу.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.56 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 22 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-DSO-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴