Транзистор N-MOSFET Nexperia BSN20BKR, 60В, 0,17А, SOT23 (комплект 100 шт.)
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM072054
Транзистор N-MOSFET Nexperia BSN20BKR, 60В, 0,17А, SOT23 (комплект 100 шт.)В наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Nexperia BSN20BKR — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається зі 100 одиниць у корпусі SOT23 (TO236AB).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 0,17 А
- Розсіювана потужність: 402 мВт
- Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
- Комплектація: 100 шт.
Напруга та струм
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 60 В та витримує струм дрена 0,17 А. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В. Максимальна розсіювана потужність становить 402 мВт, а заряд затвора дорівнює 0,49 нКл. Опір у стані провідності становить 5,7 Ом.
Корпус та монтаж
Такий формат підходить для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.402 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.17 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5700 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Виробник | BSN |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴