Транзистор N-MOSFET Nexperia BSH111BKR, 55В, 0,13А, SOT23 (комплект 150 шт.)

Транзистор N-MOSFET Nexperia BSH111BKR — це уніполярний польовий транзистор з каналом n-типу. Комплект складається зі 150 одиниць у корпусі SOT23 (TO236AB) для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, з збагачуваним каналом
• Максимальна напруга стік-сорс: 55 В
• Струм стіка: 0,13 А
• Потужність розсіювання: 364 мВт
• Опір у відкритому стані: 8,1 Ом
• Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 150 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-сорс 55 В та постійний струм стіка 0,13 А. Потужність розсіювання становить 364 мВт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані дорівнює 8,1 Ом.

Керування та монтаж

Пристрій є уніполярним з збагачуваним каналом, що означає відсутність струму стіка при нульовій напрузі на затворі. Максимальна напруга затвор-сорс обмежена ±10 В. Заряд затвора становить 0,5 нКл. Компонент виконаний у корпусі SOT23 (TO236AB) для технології поверхневого монтажу (SMD).