Транзистор P-MOSFET Infineon BSD223PH6327XTSA1, SMD, PG-SOT-363, 50 шт.
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM072051
Транзистор P-MOSFET Infineon BSD223PH6327XTSA1, SMD, PG-SOT-363, 50 шт.В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSD223PH6327XTSA1. Це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі PG-SOT-363. Комплект складається з 50 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -20 В
- Струм дрена: -0,39 А
- Потужність розсіювання: 0,25 Вт
- Корпус: PG-SOT-363, монтаж SMD
- Комплектація: 50 шт.
Технічні параметри
Транзистор працює при напрузі дрена-джерела до -20 В та максимальному струмі дрена -0,39 А. Потужність розсіювання становить 0,25 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 1,2 Ом, а допустима напруга затвор-джерело — ±12 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PG-SOT-363 |
| Технологія | OptiMOS™ P |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴