Транзистор N-MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1, 80В, 23А, корпус PG-TDSON-8 (30 шт.)
2 710 ₴
- Немає в наявності
- Код: TM018064
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1, 80В, 23А, корпус PG-TDSON-8 (30 шт.)Немає в наявності
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерТранзистор N-MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення. Модель виконана в корпусі PG-TDSON-8 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію OptiMOS™ 3.
- Струм дрена: 23 А
- Напруга дрена-джерела: 80 В
- Розсіювана потужність: 32 Вт
- Опір у стані провідності: 34 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8 (SMD)
- Технологія: OptiMOS™ 3
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 80 В та струм дрена 23 А. Максимальна розсіювана потужність становить 32 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 34 мОм.
Технологія та монтаж
Виріб виготовлено за технологією OptiMOS™ 3. Корпус PG-TDSON-8 та тип монтажу SMD призначені для поверхневого монтажу.
Комплектація
Товар постачається набором із 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 32 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 23 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 34 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 710 ₴