Транзистор N-MOSFET Infineon BSC100N06LS3GATMA1, 60В, 36А, 50Вт, SMD (комплект 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon BSC100N06LS3GATMA1 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 36 А при напрузі 60 В. Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3.

• Струм витоку 36 А, імпульсний струм 200 А
• Напруга витоку-джерела 60 В
• Потужність розсіювання 50 Вт
• Опір у відкритому стані 10 мОм
• Корпус PG-TDSON-8, монтаж SMD
• Комплект: 20 шт.

Напруга та струм

Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 60 В, а постійний струм витоку — 36 А. У імпульсному режимі прилад витримує струм до 200 А. Потужність розсіювання дорівнює 50 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Керування затвором

Транзистор має логічний рівень керування (logic level). Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 10 мОм. Загальний заряд затвора — 45 нКл, що впливає на швидкість перемикання.

Корпус та монтаж

Товар постачається набором із 20 транзисторів.