Транзистор N-MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1, 40В, 40А, 35Вт, PG-TDSON-8 (30 шт.)
1 970 ₴
- В наявності
- Код: TM072049
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1, 40В, 40А, 35Вт, PG-TDSON-8 (30 шт.)В наявності
1 970 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1 — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Товар поставляється комплектом із 30 штук у корпусі PG-TDSON-8.
- Струм стіка 40 А
- Напруга стік-витік 40 В
- Розсіювана потужність 35 Вт
- Опір у стані провідності 9,3 мОм
- Корпус PG-TDSON-8 для SMD монтажу
- Комплект із 30 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 40 В та витримує постійний струм стіка 40 А. Максимальна розсіювана потужність становить 35 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Опір та технологія
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Опір у стані провідності дорівнює 9,3 мОм.
Монтаж та корпус
Транзистор має корпус PG-TDSON-8, який призначений для поверхневого монтажу (SMD). Комплект містить 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 35 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9.3 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 970 ₴