Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0906NSATMA1, 30 В, 53 А, 30 Вт, PG-TDSON-8 (30 шт.)
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM072047
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0906NSATMA1, 30 В, 53 А, 30 Вт, PG-TDSON-8 (30 шт.)В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0906NSATMA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі PG-TDSON-8 для поверхневого монтажу (SMD) та поставляється комплектом із 30 штук.
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 53 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Корпус: PG-TDSON-8 (SMD)
- Технологія: OptiMOS™
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 30 В,. Максимально допустимий струм стоку досягає 53 А,. Максимальна потужність розсіювання обмежена 30 Вт,.
Тип та канал транзистора
Транзистор є уніполярним (польовим) приладом типу N-MOSFET. Канал транзистора є збагаченим, що визначає принцип його роботи в схемах..
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 53 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴