Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0902NSIATMA1, 30В, 89А, PG-TDSON-8 (20 шт.)
2 210 ₴
- В наявності
- Код: TM035144
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC0902NSIATMA1, 30В, 89А, PG-TDSON-8 (20 шт.)В наявності
2 210 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSC0902NSIATMA1. Це уніполярний компонент з каналом збагачення. У комплекті постачається 20 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Струм стіка: 89 А
- Потужність розсіювання: 48 Вт
- Корпус: PG-TDSON-8, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 2,8 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та струм стіка 89 А. Потужність розсіювання становить 48 Вт. Напруга затвор-витік допускається в межах ±20 В. Опір у відкритому стані дорівнює 2,8 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-TDSON-8. Технологія виготовлення — OptiMOS™. Монтаж здійснюється методом SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 48 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 89 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 210 ₴