Транзистор N-MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1, 100В, 100А, 156Вт, PG-TDSON-8 (10 шт.)
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM072046
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1, 100В, 100А, 156Вт, PG-TDSON-8 (10 шт.)В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC035N10NS5ATMA1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі PG-TDSON-8 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 10 одиниць.
- Струм дрена: 100 А
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Потужність розсіювання: 156 Вт
- Опір у стані провідності: 3,5 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8 (SMD)
- Технологія: OptiMOS™ 5
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена 100 А. Потужність розсіювання становить 156 Вт, а опір у стані провідності — 3,5 мОм. Напруга затвор-джерело допускає значення ±20 В. Канал збагачуваний.
Корпус та технологія
Прилад виготовлений за технологією OptiMOS™ 5. Корпус PG-TDSON-8 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакуванні знаходиться 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 156 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴