Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon BSC032N04LSATMA1, 40В, 83А, PG-TDSON-8 (20 шт.)

2 010 ₴

  • В наявності
  • Код: TM072045
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC032N04LSATMA1, 40В, 83А, PG-TDSON-8 (20 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC032N04LSATMA1, 40В, 83А, PG-TDSON-8 (20 шт.)В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSC032N04LSATMA1. Це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 40 В та струм 83 А. Пакет містить 20 одиниць у корпусі PG-TDSON-8.

  • Струм дрена 83 А
  • Напруга дрена-джерела 40 В
  • Потужність розсіювання 52 Вт
  • Опір у стані провідності 3,2 мОм
  • Корпус PG-TDSON-8 (SMD)
  • Комплект із 20 шт.

Технічні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела 40 В та витримує струм дрена до 83 А. Потужність розсіювання становить 52 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 3,2 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PG-TDSON-8 із технологією монтажу SMD. Напруга затвор-джерело становить ±20 В.

Технологія OptiMOS™ та монтаж SMD

Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™, що забезпечує низький опір у стані провідності 3,2 мОм. Монтаж виконується методом SMD у корпусі PG-TDSON-8, У комплекті постачається 20 транзисторів.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання52 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік40 В
Максимально допустимий струм стоку83 А
Опір у відкритому стані (Rds)3.2 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусPG-TDSON-8
ТехнологіяOptiMOS™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 010 ₴