
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC032N04LSATMA1, 40В, 83А, PG-TDSON-8 (20 шт.)
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM072045
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSC032N04LSATMA1. Це уніполярний компонент із каналом збагачення, розрахований на напругу 40 В та струм 83 А. Пакет містить 20 одиниць у корпусі PG-TDSON-8.
- Струм дрена 83 А
- Напруга дрена-джерела 40 В
- Потужність розсіювання 52 Вт
- Опір у стані провідності 3,2 мОм
- Корпус PG-TDSON-8 (SMD)
- Комплект із 20 шт.
Технічні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 40 В та витримує струм дрена до 83 А. Потужність розсіювання становить 52 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 3,2 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PG-TDSON-8 із технологією монтажу SMD. Напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Технологія OptiMOS™ та монтаж SMD
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™, що забезпечує низький опір у стані провідності 3,2 мОм. Монтаж виконується методом SMD у корпусі PG-TDSON-8, У комплекті постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 52 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 83 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴
