Транзистор P-MOSFET Infineon BSC030P03NS3GAUMA1, -30В, -100А, PG-TDSON-8 (10 шт.)

Транзистор P-MOSFET Infineon BSC030P03NS3GAUMA1 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи при напрузі -30 В та струмі до -100 А. Пакет містить 10 одиниць у корпусі PG-TDSON-8 із технологією OptiMOS™ P3.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: -30 В
• Струм стіка: -100 А
• Розсіювана потужність: 125 Вт
• Опір у відкритому стані: 3 мОм
• Корпус: PG-TDSON-8, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік -30 В та витримує струм стіка -100 А. Опір у відкритому стані становить 3 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 125 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±25 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PG-TDSON-8 із технологією OptiMOS™ P3. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).

Комплектація

У комплекті постачається 10 транзисторів.