Транзистор N-MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, 60В, 100А, PG-TDSON-8 (10 шт.)
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM072043
Транзистор N-MOSFET Infineon BSC028N06NSATMA1, 60В, 100А, PG-TDSON-8 (10 шт.)В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 10 польових транзисторів Infineon BSC028N06NSATMA1 типу N-MOSFET у корпусі PG-TDSON-8. Компоненти розраховані на напругу 60 В та струм 100 А.
- Тип: N-MOSFET, збагачуваний канал
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 100 А
- Опір у відкритому стані: 2,8 мОм
- Корпус: PG-TDSON-8 (SMD)
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 100 А. Опір у відкритому стані становить 2,8 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 83 Вт.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у поверхневому корпусі PG-TDSON-8 для монтажу SMD. Технологія OptiMOS™ 3 від виробника Infineon Technologies.
Комплектація
У пакуванні міститься 10 одиниць транзисторів. Транзистори є уніполярними з каналом збагачувального типу. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 83 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴