Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS270, 60В, 0,4А, TO92, комплект 200 шт.

Комплект із 200 транзисторів ONSEMI BS270 типу N-MOSFET у корпусі TO92. Призначений для монтажу на друкованих платах із виведеннями (THT). Максимальна напруга дрена-джерела становить 60 В, а постійний струм дрена — 0,4 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: 60 В
• Струм дрена: 0,4 А (постійний), 2 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 0,625 Вт
• Корпус: TO92, монтаж THT
• Комплектація: 200 шт.

Електричні параметри та потужність

Прилад є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між затвором і витоком становить ±20 В, що визначає допустимий рівень керуючого сигналу. Розсіювана потужність обмежена значенням 0,625 Вт, тому компонент призначений для малопотужних ланцюгів.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO92, що є стандартним для малопотужних транзисторів. Технологія виготовлення — DMOS. Монтаж здійснюється методом встановлення в отвори (THT), що забезпечує надійне кріплення на платі.