Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170-D26Z, 60В, 0,5А, TO92 (набір 50 шт.)
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM072040
Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170-D26Z, 60В, 0,5А, TO92 (набір 50 шт.)В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170-D26Z — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Товар поставляється набором із 50 штук у корпусі TO92 для монтажу на друковану плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 0,5 А (постійний), 1,2 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 0,83 Вт
- Корпус: TO92, монтаж THT
- Комплектація: 50 штук
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та постійним струмом стоку 0,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 1,2 А, а максимальна розсіювана потужність становить 0,83 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 5 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO92. Технологія виготовлення DMOS. Напруга затвор-витік ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.83 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | TO92 |
| Технологія | DMOS |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴