Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170, 60V, 500mA, TO92, комплект 60 шт.
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM035139
Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170, 60V, 500mA, TO92, комплект 60 шт.В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI BS170 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Товар постачається комплектом із 60 одиниць у корпусі TO92 для монтажу на плату.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 0,5 А (постійний), 1,2 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 0,83 Вт
- Корпус: TO92, монтаж THT
- Комплектація: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 0,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 1,2 А, а максимальна розсіювана потужність становить 0,83 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, що визначає безпечні межі керування приладом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO92 з технологією DMOS. Опір у стані провідності становить 5 Ом. Монтаж: THT (вивідний).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.83 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | TO92 |
| Технологія | DMOS |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴