Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1, 650В, 75А, TO247-4 (2 шт.)
2 510 ₴
- В наявності
- Код: TM035126
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1, 650В, 75А, TO247-4 (2 шт.)В наявності
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247-4.## Комплектація
- Напруга колектор-емітер: 650 В
- Струм колектора: 75 А (300 А в імпульсі)
- Розсіювана потужність: 405 Вт
- Корпус: TO247-4, монтаж THT
- Комплект: 2 шт.
- Інтегрований діод SiC SBD
Напруга та струм
Транзистор працює з напругою колектор-емітер 650 В та постійним струмом колектора 75 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 300 А. Максимальна розсіювана потужність становить 405 Вт.
Технологія та швидкодія
Прилад виготовлений за технологіями Field Stop, Trench та має інтегрований діод SiC SBD. Час замикання (включення) дорівнює 84 нс, а час розмикання (вимикання) — 565 нс.
Монтаж та корпус
У пакуванні знаходиться 2 транзистори.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 405 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 650 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 300 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Виробник | BASiC SEMICONDUCTOR |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 510 ₴