Транзистор IGBT BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65HF1, 650В, 50А, TO247-3 (комплект 2 шт.)

Транзистор типу IGBT від бренду BASiC SEMICONDUCTOR, модель BGH50N65HF1. У комплекті постачаються 2 одиниці в корпусі TO247-3 з монтажем THT.

• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Струм колектора: 50 А (постійний), 200 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 357 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж THT
• Інтегрований діод SiC SBD
• Комплектація: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 650 В та постійний струм колектора 50 А. У імпульсному режимі допустимий струм колектора становить 200 А. Максимальна розсіювана потужність становить 357 Вт.

Швидкодія та керування

Час замикання транзистора дорівнює 54 нс, а час розмикання — 256 нс, що забезпечує швидке перемикання станів. Напруга керування затвором (брамкою) становить ±20 В, а загальний заряд затвора — 308 нКл.

Технологія та конструкція

Компонент виготовлений за технологією Field Stop, Trench та містить інтегрований діод Шоткі на карбіді кремнію (SiC SBD). Компонент має інтегрований антипаралельний діод. Монтаж виконується методом виводів у отвори (THT) у корпусі TO247-3.